玻璃基板良率仅约 40% Samsung、SKC、LG Innotek 商用化或延至 2030 年后

市场调研机构 Yole 集团公布的数据表明,目前半导体封装行业的玻璃中介层生产良率仅约为 40%,远低于量产所需的 70% 门槛,玻璃基板商用化时点可能推迟至 2030 年以后。

玻璃中介层是位于半导体芯片与印刷电路板之间的微细电路基板,负责两者的电气连接。随着人工智能半导体性能升级,封装内搭载的芯片和高频宽内存数量增加,封装面积持续扩大。以 AMD MI300 芯片为例,其封装尺寸约为 75×75 毫米,Nvidia Blackwell 为 73×81 毫米,预计未来 Rubin Ultra 将超过 150×100 毫米。封装面积增大后,传统有机材料基板和硅中介层在翘曲现象和稳定性方面面临局限,玻璃材料因刚性和平坦度优势被业界视为替代方案。

玻璃基板良率不足,成本效益仍待提升

Yole 集团副总裁 Gary Huang 在韩国实装产业协会举办的研讨会上表示,目前玻璃基板良率仅为 40%,意味着到达封装企业时需为通过全部要求条件的合格品,当前水平过低。他指出,良率需提升至 60% 至 70% 才能确保成本效益,否则该技术将极为昂贵。虽然当前人工智能市场可为高性能处理支付溢价,但若人工智能投资热潮降温,高成本将难以持续。

韩国企业方面,SKC 子公司 Absolics 已在美国乔治亚州建成全球首座玻璃基板专用量产工厂,此前业界预期其年内可实现量产,目前预计推迟至 2027 年。Samsung 电机于上月与日本住友化韩国子公司东友精细化工完成玻璃核心生产合资公司正式合同签订,计划 2028 年起构建量产体系,已与部分全球大型科技客户进入样品供应阶段。LG Innotek 虽已建立玻璃基板试生产线,但已将商用化预期从 2028 年调整至 2030 年。

玻璃中介层技术未成熟,量产方案仍待观察

业界分析认为,玻璃核心基板技术已接近量产水平,该技术仅将封装基板底层骨架更换为玻璃材质,难度低于需在玻璃上铺设超微细线路的玻璃中介层。Yole 方面表示,未来 IC 基板从有机材料向玻璃核心发展是确定趋势,但 2.5D 中介层将按硅、再布线层、模塑、玻璃的顺序演进,玻璃中介层技术尚未成熟,大面积面板级封装并不必然采用玻璃中介层方案。

项目 规格
AMD MI300 封装尺寸 75×75 毫米
Nvidia Blackwell 封装尺寸 73×81 毫米
Nvidia Rubin Ultra 预计封装尺寸 超过 150×100 毫米
目前玻璃基板良率 约 40%
量产所需最低良率 70%
具成本效益良率范围 60% 至 70%
Absolics 量产时点(美国乔治亚州) 预计 2027 年
Samsung 电机量产规划 2028 年起
LG Innotek 商用化预期 2030 年

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原创内容
本文是 TechRitual 原创内容的简体中文版本。
Stein Yep
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