Qualcomm 全球副总裁 Durga Malladi 在当地时间 8 月 26 日举行的「德意志银行科技大会 2026」上透露，Qualcomm 正与 Samsung 电子及 SK 海力士两家存储巨头展开紧密合作，共同推进高带宽计算（HBC，High Bandwidth Compute）芯片的商业化量产。Qualcomm HBC 被视为解决当前人工智能算力瓶颈与功耗难题的新一代方案。与当前将 GPU 与 HBM（高带宽内存）进行水平连接的传统设计不同，HBC 属于近 NMC（内存计算）技术，它利用 TSV（硅通孔）工艺，将多片低功耗 DRAM 芯片垂直堆叠并直接布局在
XPU（加速器芯片）之上。Qualcomm 曾在今年 6 月指出，传统的 GPU 与 HBM 在频繁数据交换中会产生巨大热量与能耗，而 HBC 正是为了弥补这一结构性缺陷而生。
在这一合作中，三方形成了明确的产业分工：Qualcomm 主要负责底层运算芯片的研发与 TSV 设计方案；Samsung 电子与 SK 海力士负责上层 DRAM 芯片的堆叠工艺；最终的技术模块整合与封装则交由台积电完成。关于产品的落地节奏，Durga Malladi 表示，第一代 HBC 产品计划在 2027 年正式商用上市，目前已进入实验室验证阶段。
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