Samsung 与 SK 海力士（SK Hynix）正积极推进位于中国的 NAND 闪存记忆体量产基地设备投资与产线升级工作，预计于明年年底前完成相关部署，以应对人工智能（AI）服务器市场对尖端存储芯片持续攀升的需求。
Samsung 西安 X2 产线启动 V9 NAND 转型投资
据韩媒报道，Samsung 电子自今年上半年起，已在中国西安 X2 产线启动 V9 型 NAND 闪存记忆体的转型投资。该芯片采用 280 层堆叠式单元结构，属于现时业界的尖端存储产品，预计月产能规模可达 4 万至 5 万片晶圆。Samsung 近日已正式敲定补充投资计划，重点追加采购制造超高层 NAND 闪存记忆体所必须的核心刻蚀设备，相关设备采购订单预计将于今年年底前后最终确定。
刻蚀工艺是一种在刻有半导体电路的晶圆上去除特定材料的制造工序，需要在晶圆结构上精准钻出极深的电荷传输通道孔。业内人士透露，Samsung 计划于今年和明年分阶段推进在中国的高端闪存记忆体产能扩张，由明年下半年开始进行针对性补充投资，以确保 V9 NAND 的稳定量产。
SK 海力士大连工厂升级设备进场安装
SK 海力士亦自今年第三季度起，针对大连第二工厂推进 NAND 闪存记忆体产品升级所需的设备投资。相关消息显示，包括刻蚀机在内的核心制造设备预计将于下月开始进场安装，SK 海力士计划在大连工厂持续推进设备调试与建设，目标是在明年上半年逐步实现每月 3 万片晶圆的产能规模。
| 项目 | 规格 |
|---|---|
| 芯片类型 | Samsung V9 NAND 闪存记忆体 |
| 堆叠层数 | 280 层 |
| Samsung 西安 X2 产线月产能 | 4 万至 5 万片晶圆 |
| SK 海力士大连第二工厂目标月产能 | 3 万片晶圆 |
| 关键制程设备 | 刻蚀机（Etcher） |
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